摘要： 本文详细阐述了高性能 TGV（硅通孔）电路板的各项技术要求。从 TGV 结构的设计参数、材料的选用，到制造工艺中的各个环节以及性能测试与可靠性评估等方面进行深入探讨，旨在为高性能 TGV 电路板的研发、生产与应用提供全面的技术指导。 一、引言 随着电子设备向小型化、高性能化和多功能化方向不断发展，传统的电路板技术在信号传输速度、集成度等方面逐渐面临瓶颈。TGV 电路板技术作为一种新兴的互连技术，通过在硅基板上形成垂直通孔并填充导电材料，实现了芯片与电路板之间更短的电气连接路径、…

摘要：本文聚焦于 TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）技术，详细阐述了其制造过程中涉及的各个关键步骤，包括玻璃基板准备、通孔形成、金属化处理等环节。同时深入分析了在 TGV 制造过程中面临的诸多挑战，涵盖工艺复杂性、成本控制、量产一致性等方面，旨在全面展现 TGV 制造领域的现状与发展难点。 一、引言 在现代电子封装技术不断追求高性能、小型化以及多功能集成的背景下，TGV 技术作为一种极具潜力的解决方案受到了广泛关注。TGV 能够在玻璃基板上构建垂直的导电通孔，为实现芯片与外部…

随着科技的飞速发展，电子封装技术作为半导体产业链的重要一环，正面临着前所未有的挑战与机遇。其中，TGV（Through Glass Via）技术作为一种新兴的三维封装技术，以其独特的优势在电子封装领域展现出广阔的应用前景。 一、TGV技术概述 TGV技术，即玻璃通孔技术，是一种通过在玻璃基板上制作微小通孔并实现金属化连接的技术。与传统硅通孔（TSV）技术相比，TGV技术具有更高的绝缘性能、更低的介电常数和损耗因子，以及更稳定的热膨胀系数（CTE）。这些特性使得TGV技术在高频、高速信号传输以及热…

技术规格展示 参数 TGV规格 材料 玻璃、石英等 晶圆尺寸 4”、6”、8”、12”等 最小厚度 0.2mm(<6”)、0.3mm(8”)、0.35mm(12”) 最小孔径 20μm 通孔斜度 3~8° 通孔间距 50μm、100μm、150μm等 最大深宽比 1:10 金属镀层 可加工 * 备注：可以根据客户需求定制

对于 TGV 填充技术来说，类似硅通孔的金属填充方案可以应用在 TGV 金属填充中。主要有两种方案: ①通过物理气相沉积(PVD)的方法在先前制备 TGV 盲孔内部沉积种子层，随后自底向上电镀，实现 TGV 的无缝填充:最后，通过临时键合,背面研磨、化学机械抛光(CMP)露铜，解键合之后便形成 TGV 金属填实转接板； ②利用金属导电胶进行 TGV 填实，但是该方法导电胶的电性能比较差，阻碍了其在高频电子器件或电子系统的应用。在填充技术中，金属层的接触和浇筑部分对于整体基板导通性能影响显著。目前…

TGV 工艺主要分为成孔和填孔两大核心环节。对于成孔技术而言，由于玻璃材料的硬度和脆性较大，制约玻璃基板技术大规模应用的主要困难之一就是 TGV 成孔技术。其需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求，且无法在 TSV 技术的基础上进行更新。目前业界研发了多种成孔方法解决该难题，例如喷砂法、光敏玻璃法、聚焦放电法、等离子体刻蚀法。其中激光诱导刻蚀优势明显，也是目前商业使用最为广泛的方法。其优势在于：利用激光诱导刻蚀得到成孔质量均匀，一致性好；同时成孔速度快，形貌可调。

针对先进封装技术市场来说：基于玻璃通孔的TGV(Through Glass Via)技术相对 TSV有一些优势。 ①与硅基板相比，玻璃材料没有自由移动的电荷，且其介电常数在5左右，仅为硅的三分之一，可以有效避免 TSV 技术中硅基板对于电子传输的影响。 ②TGV 技术无需制作绝缘层，降低了工艺的复杂度和加工成本。 ③大尺寸超薄玻璃易于获取，玻璃转接板的制作成本大约只有硅基转接板的1/8。 ④玻璃稳定的机械性能实现了非常高的超大尺寸封装良率。 ⑤玻璃基板大尺寸稳定性以及可调节的刚性模量使其通孔密度…

针对 PCB 板市场来说:玻璃基板相较于有机基板具有天然优势。 1、玻璃基板的热导率为 1.05 -1.2W/(m·K)之间，而 FR4 材料的导热率一般在 0.3W/(m·K)之间。因此，使用玻璃基板可以更有效地将热量从电子元件传导到外部环境，改善系统热管理。 2、玻璃基板具有与硅相近的热膨胀系数(CTE)为3~9ppm/K，而有机基板的 CTE为 3~17ppm/K，因此在高温下玻璃基板变形更小。 3、玻璃基板具有低损耗因子约 10-4到 10-3，远远低于 FR4 材料(0.02 左右 )…